Reference Emission Factors (1-U ij ) for Gas Utilization Rates (U ij ) and By-Product Formation Rates (B ijk ) for Semiconductor Manufacturing for 150 mm and 200 mm Wafer Sizes

Table I-19 to Subpart I of Part 98—Reference Emission Factors (1-U ij ) for Gas Utilization Rates (U ij ) and By-Product Formation Rates (B ijk ) for Semiconductor Manufacturing for 150 mm and 200 mm Wafer Sizes Process type/sub-type Process gas i CF 4 C 2 F 6 CHF 3 CH 2 F 2 C 2 HF 5 CH 3 F C 3 F 8 C 4 F 8 NF 3 SF 6 C 4 F 6 C 5 F 8 C 4 F 8 O Etching/Wafer Cleaning 1-U i 0.73 0.46 0.31 0.37 0.064 0.66 NA 0.21 0.20 0.55 0.086 0.072 NA BCF 4 NA 0.20 0.10 0.031 0.077 NA NA 0.17 0.0040 0.023 0.0089 NA NA BC 2 F 6 0.029 NA NA NA NA NA NA 0.065 NA NA 0.045 0.014 NA BC 4 F 6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BC 4 F 8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BC 3 F 8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BC 5 F 8 NA NA NA NA NA NA NA 0.016 NA NA NA NA NA BCHF 3 0.13 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA 0.0039 NA Chamber Cleaning In situ plasma cleaning 1-U i 0.92 0.55 NA NA NA NA 0.40 0.10 0.18 NA NA NA 0.14 BCF 4 NA 0.19 NA NA NA NA 0.20 0.11 0.14 NA NA NA 0.13 BC 2 F 6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA 0.045 BC 3 F 8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA Remote plasma cleaning 1-U i NA NA NA NA NA NA NA NA 0.028 NA NA NA NA BCF 4 NA NA NA NA NA NA NA NA 0.015 NA NA NA NA BC 2 F 6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BC 3 F 8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA In situ thermal cleaning 1-U i NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BCF 4 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BC 2 F 6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BC 3 F 8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA [89 FR 31923, Apr. 25, 2024]