Reference Emission Factors (1-U ij ) for Gas Utilization Rates (U ij ) and By-Product Formation Rates (B ijk ) for Semiconductor Manufacturing for 300 mm Wafer Sizes

Table I-20 to Subpart I of Part 98—Reference Emission Factors (1-U ij ) for Gas Utilization Rates (U ij ) and By-Product Formation Rates (B ijk ) for Semiconductor Manufacturing for 300 mm Wafer Sizes Process type/sub-type Process gas i CF 4 C 2 F 6 CHF 3 CH 2 F 2 CH 3 F C 3 F 8 C 4 F 8 NF 3 SF 6 C 4 F 6 C 5 F 8 C 4 F 8 O Etching/Wafer Cleaning 1-U i 0.68 0.80 0.35 0.15 0.34 0.30 0.16 0.17 0.28 0.17 0.10 NA BCF 4 NA 0.21 0.073 0.020 0.038 0.21 0.045 0.035 0.0072 0.034 0.11 NA BC 2 F 6 0.041 NA 0.040 0.0065 0.0064 0.18 0.030 0.038 0.0017 0.025 0.083 NA BC 4 F 6 0.0015 NA 0.00010 NA 0.0010 NA 0.00083 NA NA NA NA NA BC 4 F 8 0.0051 NA 0.00061 NA 0.0070 NA NA NA NA NA NA NA BC 3 F 8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA 0.00012 NA BC 5 F 8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BCHF 3 0.0056 NA NA 0.033 0.0049 0.012 0.029 0.0065 0.0012 0.019 0.0069 NA BCH 2 F 2 0.014 NA 0.0026 NA 0.0023 NA 0.0014 0.00086 0.000020 0.000030 NA NA BCH 3 F 0.00057 NA 0.12 NA NA 0.00073 NA NA 0.0082 NA NA NA Chamber Cleaning In situ plasma cleaning 1-U i NA NA NA NA NA NA NA 0.20 NA NA NA NA BCF 4 NA NA NA NA NA NA NA 0.037 NA NA NA NA BC 2 F 6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BC 3 F 8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA Remote plasma cleaning 1-U i NA NA NA NA NA 0.063 NA 0.018 NA NA NA NA BCF 4 NA NA NA NA NA NA NA 0.038 NA NA NA NA BC 2 F 6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BC 3 F 8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BCHF 3 NA NA NA NA NA NA NA 0.000059 NA NA NA NA BCH 2 F 2 NA NA NA NA NA NA NA 0.0016 NA NA NA NA BCH 3 F NA NA NA NA NA NA NA 0.0028 NA NA NA NA In situ thermal cleaning 1-U i NA NA NA NA NA NA NA 0.28 NA NA NA NA BCF 4 NA NA NA NA NA NA NA 0.010 NA NA NA NA BC 2 F 6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA BC 3 F 8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA [89 FR 31923, Apr. 25, 2024]